반도체에 전류

전류 반도체 분야는 - 전계에 의해 영향을 받고 전자와 정공의 이동을 지시한다.

그들이 어떤 화학적 변화를 수반하지 않는 - 실험의 결과, 반도체에 전류가 물질의 이동을 수반하지 않는 것으로 관찰되었다. 따라서, 캐리어, 전자는 반도체로 간주 될 수있다.

거기에 전류를 형성하는 재료의 능력에 의해 결정될 수있는 특정 도전. 이 표시기 도체는 도체와 절연체 사이의 중간 위치를 차지한다. 반도체 -이 등 미네랄의 다른 유형, 특정 금속, 금속 황화물이다 반도체에 전류가 물질의 방향성 이동할 수있는 자유 전자의 농도에서 발생한다. 금속 도체를 비교하면, 자신의 도전성의 온도의 영향의 차이가 주목된다. 온도 상승은 감소로 연결 금속의 도전율. 반도체 분야의 도통 율이 증가한다. 반도체 온도가 상승하면 자유 전자의 움직임은 더 이상한 것입니다. 이 충돌의 수의 증가에 기인한다. 그러나, 금속에 비해 반도체, 그것은 실질적으로 자유 전자의 디스플레이 밀도를 증가시킨다. 이러한 요소는 전도성에 역효과 가지고 더 충돌, 작은 도전성의 농도보다 더 높은 것이된다. 온도 증가 전도도의 변화는 단지 자유 전자의 정렬 동작의 가능성이 감소되도록 금속에서의 자유 전자 온도와 농도 사이의 의존성이 없다. 반도체의 농도를 증가 높은 표시 효과있다. 따라서, 온도 상승은 도전율 큰 큰 것이다.

그러한 반도체의 전류와 같은 전하 캐리어의 이동 및 용어의 관계가있다. 반도체에서, 임계 온도 및 물질의 순도 그중 다양한 요소의 외관을 특징으로 전하 캐리어. 순도 반도체는 외부와 자신의로 구분된다.

자신의 도체에 관해서는, 특정 온도에서 불순물의 효과는 그들에게 필수되지 않을 수 있습니다. 반도체의 밴드 갭은 진성 반도체에서는 낮기 때문에 온도에 도달 할 때, 절대 제로, 원자가 전자의 완전한 충전이있다. 그러나 전도대는 완전 무료입니다 : 거기에는 전기 전도성이 없으며, 그것은 이상적인 절연체로 작동합니다. 다른 온도에서, 특정 전자의 열적 변동이 전위 장벽을 극복하고 전도대에 표시 할 수있는 가능성이있다.

톰슨 효과

주울 열 방출 또는 열의 추가 량의 흡수를 제외한 이들의 온도 구배가이를 따라 반도체의 전류는, 전류가 흐르고있는 방향에 따라 발생 열전 톰슨 효과의 원리.

재료가 불균일해진다 균질 한 구조를 갖는 가열 부족 균일 시험편은 그 특성에 영향을 미친다. 따라서, 톰슨 효과는 특정 펠티에 현상이다. 유일한 차이는 샘플 및 독창성 온도의 다양한 비 화학 조성이 얼룩이 있다는 것이다.