임의의 전자 디바이스 자체의 특성에 따라 동작한다. 어떤 복잡한 장치의 디자인을 사용하여 만들 수 있습니다 수학적 모델 특정 장치를. 이 원칙에 수학적 모델링을 사용하고 우리가 모니터 화면에 전자 회로의 일을 볼 수 있도록 프로그램을 만들었습니다. 그들은 크게 장치의 개발에 도움이됩니다. 다른 가상 호스트에 연결하여 오실로스코프는, 향후 제품의 성능에서 볼 수하고 필요한 경우 조정을 할 수 있습니다. 이를 바탕으로, 당신은 단지 전자 장치를 설계 할뿐만 아니라, 자신의 이론적 지식을 깊게하는 요소의 일부 기능을 탐구하는 방법을 배울 수 있습니다. 예를 들어, 볼트 - 암페어 특성을 이하 다이오드 VAC에 기초하여 전자 장치의 기본 요소 중 하나를 고려한다. 이 장치는 그 중 몇 가지가 있다는 것을 좋다. 그들 모두는 성공적으로 전자 회로에 사용되어왔다. 이 장치는 다양한 목적을 위해 장비에서 작업의 년 동안 자신을 증명했다.
최초의 요소는 "진공관"버전에 조립하고 오랫동안 다양한 방식의 구성에 사용되었다. 이러한 장치는 여전히 개별 기업을 생산하는 튜브 앰프에 사용된다. 이 경우 CVC 다이오드 랭 뮤어 - Bogusławski하여 설명한다. 이 식에 따르면, 상기 장치를 통해 흐르는 전류는 전압의 계수를 곱한 제 3 전원에 직접 비례한다. 당신이 볼 수 있듯이, 다이오드 특성의 초기 부분은 비선형 성을 가지고있다. 이 곡선은 "정류"때 공칭 매개 변수의 동작 점.
파라미터 반도체 장치가 완성 거의 가깝다. 선형성 결정가 만들어진 물질의 초기 부분에 의존한다. 중요 즉 원료의 품질 불순물의 양이다. CVC 용 반도체 다이오드는 대략 지수 변화 운영 특성에 그 종료 전에 변곡점을 갖는 곡선으로 표현 될 수있다. 동작 점의 실리콘 샘플은 0.6-0.7 볼트의 수준에서 "휴식". 의 이상적인 값 VAC에 가장 가까운 쇼트 키 다이오드는 성능에 여기에 출구 지점은 0.2 ~ 0.4 볼트의 지역에있을 것입니다. 그러나 50 볼트의 전압에서,이 속성이 손실되는 것을 명심하십시오.
소위 제너 다이오드 커브 "역방향"종래의 소자를 갖는다. 즉 증가함에 인 전류 전압 이어서, 전자 사태 증가 소정 임계치에 도달하기 위해 나타나지 않는 실질적.
이러한 항목의 제조 업체들은 심지어 같은 배치 내에서 상당히 다른만큼, 정확한 특성을 지정하지 않는 경향이있다. 또한, CVC 정확하게 실험실에서 측정 다이오드를 취할와 작동 온도를 변경할 수 있습니다. 그리고 변화의 특성. 보통의 작동 조건에 따라 전자 소자의 안정된 동작을 외부 일부를 나타낸다.